mosfet工作原理 p沟道mosfet工作原理

MOSFET是工作p沟t工一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。原理按栅极电压幅值可分为；耗尽型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，作原增强型；对于N（P）沟道器件，工作p沟t工栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，原理功率MOSFET主要是作原N沟道增强型。

其导通时只有一种极性的工作p沟t工载流子（多子）参与导电，是原理单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同，作原但结构上有较大区别，工作p沟t工小功率MOS管是原理横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，作原又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），工作p沟t工大大提高了MOSFET器件的原理耐压和耐电流能力。