mosfet工作原理 p沟道mosfet工作原理
MOSFET是工作p沟t工一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。原理按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,作原增强型;对于N(P)沟道器件,工作p沟t工栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,原理功率MOSFET主要是作原N沟道增强型。
其导通时只有一种极性的工作p沟t工载流子(多子)参与导电,是原理单极型晶体管。导电机理与小功率mos管相同,作原但 结构上有较大区别,工作p沟t工小功率MOS管是原理横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,作原又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),工作p沟t工大大提高了MOSFET器件的原理耐压和耐电流能力。
作原